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    多角度激光橢偏儀(PH-LE型)專門針對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池絨面上的減反膜測(cè)量,能夠測(cè)量薄膜厚度及其光學(xué)常數(shù),使用632.8nm波長(zhǎng)氦氖激光器,具有極高的精確度和準(zhǔn)確度。

產(chǎn)品特點(diǎn):
可以測(cè)量單晶電池片、多晶電池片
可以測(cè)量拋光片,精確度和準(zhǔn)確度極高
可以測(cè)量粗糙表面的“絨片”
適用于對(duì)太陽(yáng)能電池粗糙表面減反膜造成的低反射光強(qiáng)進(jìn)行測(cè)量
可對(duì)太陽(yáng)能電池粗糙表面減反膜造成的退偏因數(shù)(偏振因數(shù))進(jìn)行測(cè)量和評(píng)估,提高測(cè)量精度
配置有高穩(wěn)定度補(bǔ)償器,提供最小的漂移值和最小的測(cè)量誤差
配置有高精度的自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡
可進(jìn)行20°-90°范圍內(nèi)的多角度測(cè)量

測(cè)量特點(diǎn):
非破環(huán)性檢測(cè)
樣品準(zhǔn)直簡(jiǎn)單方便
測(cè)量速度快
可變?nèi)肷浣欠秶鷮?br /> 絕對(duì)測(cè)量
軟件分析功能強(qiáng)

技術(shù)指標(biāo):
光源:He-Ne激光器
光斑直徑:1-2mm
入射角范圍:20°到90°,5°/步
精度:0.002°~ 0.02°
膜厚精度:0.01mm,對(duì)100nmSiO2on Si
折射率精度:0.0005,對(duì)100nmSiO2on Si
激光光斑:直徑1mm
激光波長(zhǎng)632.8 nm


典型客戶:
美國(guó),歐洲,亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶。

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